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高纯银靶材(Ag)产品介绍
一、产品概述
银靶材(Silver Target,简称Ag靶)是由高纯银金属经真空熔炼、轧制、机加工等工艺制备而成的磁控溅射镀膜源材料。银是一种白色有光泽的金属,原子序数47,晶体结构为面心立方。
磁控溅射镀膜原理:在高真空环境下,以高能粒子(通常为氩离子)轰击靶材表面,使银原子逸出并沉积到基片表面形成薄膜。银是导电性和导热性最高的金属,具有极高的反射率和良好的延展性。凭借这些特性,银薄膜在半导体、MEMS、光学镀膜等高端科研镀膜领域广泛应用。
银薄膜虽然具有低电阻、高反射率等优良特性,但随着时间推移,反射率及导电性可能因腐蚀及内聚而下降。针对这一问题,研邦新材料同时提供银合金靶材(如AgCu、AgPdCu、AgIn等),在保持低电阻和高反射率的同时提升耐久性和耐热性。
二、技术参数
| 参数 | 指标 |
|---|---|
| 元素符号 | Ag |
| 原子序数 | 47 |
| CAS号 | 7440-22-4 |
| 纯度 | 99.99%(4N)、99.999%(5N) |
| 熔点 | 961℃ |
| 沸点 | 2163℃ |
| 密度(20℃) | 10.50 g/cm³ |
| 电阻率(20℃) | 1.586×10⁻⁸ Ω·m |
| 热导率 | 429 W·m⁻¹·K⁻¹ |
| 晶体结构 | 面心立方 |
| 外观 | 银白色金属,具有金属光泽 |
高纯银靶材主要指纯度为4N(99.99%)和5N(99.999%)的银靶,适用于对薄膜纯度有严格要求的科研与高端应用场景。
三、制备工艺
银靶材采用真空熔炼铸造法制备,工艺流程短、引入杂质少。具体工艺流程如下:
备料 → 真空感应熔炼 → 铸锭 → 锻造 → 热轧 → 退火 → 冷轧 → 热处理 → 机加工 → 尺寸检测 → 清洗 → 检验 → 包装
关键工艺节点说明:
真空感应熔炼(VIM) :选用纯度4N以上银原料,在高真空条件下进行熔炼,将银原料熔融后浇铸形成铸锭坯料。
锻造:对铸锭坯料进行锻造,锻造温度控制在400–700℃,并进行保温均化。
热轧:将保温热处理后的铸锭坯料进行热轧,温度控制为500–800℃。
退火热处理:退火温度控制为400–800℃,时间0.5–3小时,获得晶粒细小且均匀的银靶坯。
机加工:通过切割、车铣磨和数控加工,按客户图纸加工成所需尺寸。
检测:对靶材进行外观、尺寸、纯度等全项检测。
通过上述工艺制备的银靶材晶粒尺寸细小且均匀,具有优良的品质。
四、产品规格与尺寸
研邦新材料提供多种尺寸规格的银溅射靶材,满足不同磁控溅射设备及科研实验需求:
(一)圆形溅射靶
常规尺寸:
Φ25.4×3 mm
Φ50×3 mm
Φ50.8×3 mm
Φ60×3 mm
Φ76.2×3 mm
Φ80×4 mm
Φ100×3 mm
Φ101.6×3 mm
直径范围可覆盖Φ25.4 mm至Φ300 mm,厚度0.2–10 mm可按需定制。
(二)方形溅射靶
常规尺寸:
50×50×3 mm
100×100×4 mm
300×300×5 mm
尺寸及厚度可按图纸定制。
(三)异形靶材
根据客户提供的图纸加工,适配不同品牌及型号的磁控溅射设备。
五、典型科研应用场景
半导体器件研究
银靶材在半导体制造中用于制备金属化薄膜和电极。在半导体芯片、宽禁带半导体、石墨烯等研究领域应用广泛。
MEMS与传感器
银靶材在MEMS传感器、光电器件等领域用于沉积导电薄膜和功能电极层。
光学镀膜研究
银对可见光具有极高的反射率(可达91%),是制备高反射膜的核心材料。银靶材广泛用于高反射镜、光学滤光片、光通信器件等光学元件的镀膜工艺。
科研实验室
银靶材适用于各类磁控溅射镀膜设备,适配北方华创、中科科仪、沈阳科仪、Kurt J. Lesker、爱发科等品牌设备。银常用来制作高灵敏度物理仪器元件及各类自动化装置中的接触点。
六、定制服务与技术支持
研邦新材料支持银靶材的定制化服务,满足科研课题的多样化需求:
纯度定制:4N(99.99%)至5N(99.999%)可选
尺寸定制:圆形、方形、异形靶材均可按图纸加工
绑定服务:可根据设备要求提供靶材背板绑定服务(铜背板等)
批量定制:支持科研小批量及实验级批量供货
说明:以上参数及规格为常规配置,具体可按科研实验实际需求进行调整。如需了解更多产品信息、获取报价或定制方案,请联系研邦新材料销售工程师。